頻率：12MHZ
尺寸：2.5*2.0mm
ABRACON晶振ABM10,ABM10-166-12.000MHZ-T3無源貼片晶體,SMD晶振,歐美晶振,陶瓷諧振器,無源諧振器,ABM10-166-12.000MHZ-T3無源貼片晶體是一款陶瓷面貼片型的音叉晶體,采用先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)打磨而成,尺寸為2520mm,頻率為12MHZ,產(chǎn)品具備良好的穩(wěn)定性能和耐壓性能,十分適合用于智能家居,電子設(shè)備,無線網(wǎng)絡(luò),通信模塊等領(lǐng)域。
晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.
ABRACON晶振ABM10,ABM10-166-12.000MHZ-T3無源貼片晶體,SMD晶振,歐美晶振,陶瓷諧振器,無源晶振,ABM10-166-12.000MHZ-T3無源貼片晶體是一款陶瓷面貼片型的音叉晶體,采用先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)打磨而成,尺寸為2520mm,頻率為12MHZ,產(chǎn)品具備良好的穩(wěn)定性能和耐壓性能,十分適合用于智能家居,電子設(shè)備,無線網(wǎng)絡(luò),通信模塊等領(lǐng)域。
ABM10-167-12.000MHZ-T3晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.ABRACON晶振ABM10,ABM10-166-12.000MHZ-T3無源貼片晶體
ABM10-166-12.000MHZ-T3晶振 參數(shù)表
|
Abracon晶振規(guī)格 |
單位 |
ABM10晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
12MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
|
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ～ +85°C |
裸存 |
|
工作溫度 |
T_use |
-20°C ～ +70°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
|
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ～ 100μW |
|
頻率公差 |
f_— l |
±10 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://premieremedcenter.com |
|
頻率溫度特征 |
f_tem |
±10 × 10-6/-20°C ～ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
|
負(fù)載電容 |
CL |
8pF ～ ∞ |
不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
|
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
ABRACON晶振ABM10,ABM10-166-12.000MHZ-T3無源貼片晶體 尺寸圖
ABM10-166-12.000MHZ-T3晶振 在使用晶振時應(yīng)注意以下事項:
1：抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.
3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
4：粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）ABRACON晶振ABM10,ABM10-166-12.000MHZ-T3無源貼片晶體
5：鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6：靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作.
Abracon晶振環(huán)保方針:
Abracon llc晶振提供從材料的選定到廢棄過程中考慮環(huán)境質(zhì)量的晶振,溫補晶振.加強(qiáng)制度建設(shè),深化環(huán)境監(jiān)管,向環(huán)境污染宣戰(zhàn),促進(jìn)經(jīng)濟(jì)與環(huán)境協(xié)調(diào)發(fā)展.積極參與公司內(nèi)部活動和地區(qū)環(huán)境改善活動,為社會做出貢獻(xiàn),實現(xiàn)公司的社會責(zé)任.實施公司內(nèi)部環(huán)境培訓(xùn)和訓(xùn)練,推進(jìn)防污染和環(huán)?；顒?遵守國內(nèi)外法律,遵守與客戶和地區(qū)的約定事項,與日常業(yè)務(wù)相融合,努力開展繼續(xù)改善環(huán)境的工作.ABRACON晶振ABM10,ABM10-166-12.000MHZ-T3無源貼片晶體
Abracon晶振進(jìn)一步解放思想,學(xué)習(xí)先進(jìn),總結(jié)實踐,針對新形勢、新情況,抓好理念創(chuàng)新,促進(jìn)石英晶振,有源晶振, 32.768K鐘表晶振,溫補晶振安全環(huán)保工作更加科學(xué)、更加有效.Abracon llc晶振堅持運用,不斷完善,持續(xù)改進(jìn),更要針對新情況、新問題,不斷學(xué)習(xí)先進(jìn),總結(jié)經(jīng)驗,結(jié)合實際,及時改進(jìn)舊方法,勇于擯棄落后方法.
| Manufacturer Part Number 原廠編碼 | Manufacturer廠家 | Series型號 | Type 系列 | Frequency頻率 | Package / Case包裝/封裝 |
| ABLS-8.192MHZ-B2-T | Abracon晶振 | ABLS | MHz Crystal | 8.192MHz | HC49/US |
| ABM8-24.000MHZ-D2-T | Abracon晶振 | ABM8 | MHz Crystal | 24MHz | 4-SMD, No Lead |
| ABM10-167-12.000MHZ-T3 | Abracon晶振 | ABM10 | MHz Crystal | 12MHz | 4-SMD, No Lead |
| ABM10-166-12.000MHZ-T3 | Abracon晶振 | ABM10 | MHz Crystal | 12MHz | 4-SMD, No Lead |
| ABM3B-8.000MHZ-B2-T | Abracon晶振 | ABM3B | MHz Crystal | 8MHz | 4-SMD, No Lead |
| ABS07-32.768KHZ-T | Abracon晶振 | ABS07 | kHz Crystal (Tuning Fork) | 32.768kHz | 2-SMD, No Lead |
| ABLS-3.579545MHZ-D-4-T | Abracon晶振 | ABLS | MHz Crystal | 3.579545MHz | HC49/US |
| ABM11-140-26.000MHZ-T3 | Abracon晶振 | ABM11 | MHz Crystal | 26MHz | 4-SMD, No Lead |
| ABM11-141-26.000MHZ-T3 | Abracon晶振 | ABM11 | MHz Crystal | 26MHz | 4-SMD, No Lead |
| ABM11-143-27.120MHZ-T3 | Abracon晶振 | ABM11 | MHz Crystal | 27.12MHz | 4-SMD, No Lead |
| ABM8-25.000MHZ-B2-T | Abracon晶振 | ABM8 | MHz Crystal | 25MHz | 4-SMD, No Lead |
| ABLS3-8.000MHZ-D4Y-T | Abracon晶振 | ABLS3 | MHz Crystal | 8MHz | HC49/US |
| ABLS3-16.000MHZ-D4Y-T | Abracon晶振 | ABLS3 | MHz Crystal | 16MHz | HC49/US |
| ABLS3-3.6864MHZ-D4Y-T | Abracon晶振 | ABLS3 | MHz Crystal | 3.6864MHz | HC49/US |
| ABLS3-15.000MHZ-D4Y-T | Abracon晶振 | ABLS3 | MHz Crystal | 15MHz | HC49/US |
| ABLS3-4.9152MHZ-D4Y-T | Abracon晶振 | ABLS3 | MHz Crystal | 4.9152MHz | HC49/US |
| ABLS3-9.8304MHZ-D4Y-T | Abracon晶振 | ABLS3 | MHz Crystal | 9.8304MHz | HC49/US |
| ABLS3-4.000MHZ-D4Y-T | Abracon晶振 | ABLS3 | MHz Crystal | 4MHz | HC49/US |
| ABLS3-4.096MHZ-D4Y-T | Abracon晶振 | ABLS3 | MHz Crystal | 4.096MHz | HC49/US |
| ABLS3-6.000MHZ-D4Y-T | Abracon晶振 | ABLS3 | MHz Crystal | 6MHz | HC49/US |
| ABS25-32.768KHZ-1-T | Abracon晶振 | ABS25 | kHz Crystal (Tuning Fork) | 32.768K晶振 | 4-SOJ, 5.50mm pitch |
| ABS25-32.768KHZ-6-1-T | Abracon晶振 | ABS25 | kHz Crystal (Tuning Fork) | 32.768kHz | 4-SOJ, 5.50mm pitch |
| ABM3B-12.000MHZ-B2-T | Abracon晶振 | ABM3B | MHz Crystal | 12MHz | 4-SMD, No Lead |
手機(jī)：137 2874 2863
QQ：577541227
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